Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 100 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, BSC040N08NS5系列
- RS 库存编号:
- 171-1969P
- 制造商零件编号:
- BSC040N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 1250 件 (以卷装提供)*
¥13,616.25
(不含税)
¥15,386.25
(含税)
有库存
- 3,410 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1250 - 2490 | RMB10.893 |
| 2500 + | RMB10.567 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-1969P
- 制造商零件编号:
- BSC040N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | BSC040N08NS5 | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.88V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.49mm | |
| 宽度 | 6.35 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 BSC040N08NS5 | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.88V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.49mm | ||
宽度 6.35 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS 5 80 V 功率 MOSFET 专门设计用于电信和服务器电源的同步整流。此外，该设备还可用于其他工业应用，如太阳能，低电压驱动器和适配器。
最高系统效率
减少切换和传导损耗
所需并联减少
功率密度增加
低电压过冲