Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=100 A, 8针, TDSON, BSC040N10NS5系列
- RS 库存编号:
- 171-1973P
- 制造商零件编号:
- BSC040N10NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 171-1973P
- 制造商零件编号:
- BSC040N10NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | BSC040N10NS5 | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最大功耗 Pd | 139W | |
| 正向电压 Vf | 0.86V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5.49mm | |
| 宽度 | 6.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 BSC040N10NS5 | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC | ||
最大功耗 Pd 139W | ||
正向电压 Vf 0.86V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5.49mm | ||
宽度 6.35mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon BSC040N10NS5 系列 MOSFET，100A 最大连续漏极电流，100V 最大漏源电压 - BSC040N10NS5ATMA1
该 MOSFET 是一款高电流 N 通道增强型晶体管，专为苛刻电子系统中的表面安装功率开关而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于需要低传导损耗和大量电流处理的紧凑型板级功率级。该设备采用薄型无铅封装，适用于自动组装和热管理。
特性和优点：
• 100A 连续漏极电流支持重载处理
• 100V 漏源额定值支持高压开关
• 5.6mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 58nC 典型栅极电荷可实现可控的开关动态
• 139W 最大功耗，支持显著的热输出
• ±20V 栅源容差确保稳健的栅极驱动器占用空间
• 100V 漏源额定值支持高压开关
• 5.6mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 58nC 典型栅极电荷可实现可控的开关动态
• 139W 最大功耗，支持显著的热输出
• ±20V 栅源容差确保稳健的栅极驱动器占用空间
应用
• 适用于工业系统中的高功率DC-DC转换器
• 适用于表面板上的电机变频器半桥级
• 用于需要高电流的电池管理系统
• 可用于电源的同步整流
• 适用于注重热密度的服务器电源模块
• 适用于表面板上的电机变频器半桥级
• 用于需要高电流的电池管理系统
• 可用于电源的同步整流
• 适用于注重热密度的服务器电源模块
应预期的热工作限值是多少？
该设备的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在冷启动和高温环境中使用，仅需考虑典型的功率损耗因素。
该封装对 PCB 散热设计有何影响？
无铅 TDSON 8 引脚封装和 1.1mm 剖面高度允许紧密安装组件，同时便于将热量传导至板铜和热过孔，从而提高散热效果。
实现可靠开关建议考虑哪些栅极驱动因素？
最大允许栅源电压为 20V，因此栅极驱动器应限制在此范围内，并在调整驱动器电流以实现所需的转换时间时考虑 58nC 典型栅极电荷。
该设备在导通效率方面的表现如何？
它具有 5.6mΩ 的低导通电阻和高连续漏极电流能力，可最大限度减少传导过程中的 I2R 损耗，从而在大负载电流下提高整体系统效率。