Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 100 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚, BSC026N08NS5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
171-1983
制造商零件编号:
BSC026N08NS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

100 A

最大漏源电压

80 V

封装类型

TDSON

系列

BSC026N08NS5

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

2.6 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.8V

最小栅阈值电压

2.2V

最大功率耗散

156 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

20 V

每片芯片元件数目

1

宽度

6.35mm

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

74 nC @ 10 V

长度

5.49mm

高度

1.1mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.1V

Infineon BSC026N08NS5 是 optiMOS 5 80 V 功率 MOSFET ，专门设计用于电信和服务器电源的同步整流。此外，该设备还可用于其他工业应用，如太阳能，低电压驱动器和适配器。

经优化可用于同步整流
特别适用于高切换频率
输出电容降低高达 44%