Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=300 A, 9针, HSOF, IPT015N10N5系列

RS 库存编号:: 171-1991P
制造商零件编号:: IPT015N10N5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=300 A, 9针, HSOF, IPT015N10N5系列

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RS 库存编号:: 171-1991P
制造商零件编号:: IPT015N10N5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	300A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	HSOF
	系列	IPT015N10N5
	安装类型	表面
	引脚数目	9
	最大漏源电阻 Rd	2mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	169nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.9V
	最高工作温度	175°C
	高度	2.4mm
	长度	10.1mm
	宽度	10.58mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 300A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 HSOF
	系列 IPT015N10N5
	安装类型表面
	引脚数目 9
	最大漏源电阻 Rd 2mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 169nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.9V
	最高工作温度 175°C
	高度 2.4mm
	长度 10.1mm
	宽度 10.58mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Infineon IPT015N10N5 系列 MOSFET，100V 最大漏源电压，300A 最大连续漏极电流 - IPT015N10N5ATMA1

该 MOSFET 是一款高电流 N 通道开关设备，专为苛刻电子系统中的功率转换和电机控制而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要稳健传导和快速开关的表面安装组件。该组件适用于寻求紧凑型高功率晶体管的设计人员，适用于需要高漏极电流和高电压处理的应用。

特性和优点：

• 100V 漏极电压，支持更高电压的开关应用
• 300A 连续漏极电流，支持大电流负载
• 2 mΩ Rds(on) 可最大程度降低负载条件下的传导损耗
• 169 nC 典型栅极电荷，可降低开关能耗的权衡代价
• 375W 最大功耗，支持高功率运行
• 20V 栅极耐压，支持灵活的栅极驱动电压

应用

• 适用于高电流电机驱动级
• 适用于电源的同步整流
• 与工业驱动器的变频器模块配合使用
• 可用于电力系统中的 DC-DC 转换器
• 适用于牵引或推进电力电子设备

在恶劣环境中，预期的温度范围是多少？

其工作温度范围为 -55 °C 至 175 °C，可适应高结温条件。

PCB 集成需要采用哪种安装方式？

该设备采用 HSOF 表面安装封装，用于自动化组装。

有多少引脚可用于连接和布局规划？

该封装提供九个引脚，可实现稳健的电流路径和栅极/漏极/源极排列。