Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 340 A, SOP, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 171-2205
- 制造商零件编号:
- TPHR8504PL
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 - 20000 | RMB12.512 | RMB62,560.00 |
| 25000 + | RMB11.261 | RMB56,305.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-2205
- 制造商零件编号:
- TPHR8504PL
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 340 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.4 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.4V | |
| 最大功率耗散 | 170 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 103 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 340 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 SOP | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 1.4 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最小栅阈值电压 1.4V | ||
最大功率耗散 170 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V | ||
宽度 5mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 5mm | ||
高度 0.95mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
豁免
高效直流-直流转换器
开关稳压器
电机驱动器
高速切换
小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）
小输出电荷：Qoss = 85.4 nC（典型值）
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)
增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
开关稳压器
电机驱动器
高速切换
小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）
小输出电荷：Qoss = 85.4 nC（典型值）
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)
增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）