Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 65 A, TSON, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 171-2206
- 制造商零件编号:
- TPN14006NH,L1Q(M
- 制造商:
- Toshiba
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-2206
- 制造商零件编号:
- TPN14006NH,L1Q(M
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 65A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 41mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最大功耗 Pd | 30W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 宽度 | 3.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 65A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 41mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最大功耗 Pd 30W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.85mm | ||
长度 3.1mm | ||
宽度 3.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
开关稳压器
电机驱动器
直流 - 直流转换器
高速切换
小栅极电荷：QSW = 5.5 nC（典型值）
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 11 mΩ（典型值）
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)
增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.2 mA）