Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, TSON, 表面安装, 8引脚

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RS 库存编号:
171-2208
制造商零件编号:
TPN2R304PL
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

104W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

41nC

最高工作温度

175°C

高度

0.85mm

长度

3.1mm

宽度

3.1 mm

标准/认证

No

汽车标准

豁免

高效直流-直流转换器

开关稳压器

电机驱动器

高速切换

小栅极电荷:QSW = 10.8 nC(典型值)

小输出电荷:Qoss = 27 nC(典型值)

低漏-源通态电阻:RDS(接通)= 1.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)

低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)

增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V(VDS = 10 V,ID = 0.3 mA)