Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 57 A, SOP, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 171-2379
- 制造商零件编号:
- TPH6R003NL
- 制造商:
- Toshiba
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-2379
- 制造商零件编号:
- TPH6R003NL
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 57 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 8.3 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大功率耗散 | 34 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 57 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SOP | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 8.3 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.3V | ||
最小栅阈值电压 1.3V | ||
最大功率耗散 34 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 0.95mm | ||
豁免
开关稳压器
直流 - 直流转换器
高速切换
小栅极电荷：QSW = 4.3 nC（典型值）
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 6.8 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)
增强模式：Vth = 1.3 至 2.3 V（VDS = 10 V，ID = 0.2 mA）
直流 - 直流转换器
高速切换
小栅极电荷：QSW = 4.3 nC（典型值）
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 6.8 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)
增强模式：Vth = 1.3 至 2.3 V（VDS = 10 V，ID = 0.2 mA）