Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 90 A, TSON, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 171-2392
- 制造商零件编号:
- TPN2R703NL
- 制造商:
- Toshiba
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- TPN2R703NL
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 90 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | TSON | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 4.1 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大功率耗散 | 42 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 宽度 | 3.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 90 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 TSON | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 4.1 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.3V | ||
最小栅阈值电压 1.3V | ||
最大功率耗散 42 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.1mm | ||
宽度 3.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.85mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
豁免
高效直流-直流转换器
开关稳压器
高速切换
小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)
增强模式：Vth = 1.3 至 2.3 V（VDS = 10 V，ID = 0.3 mA）
开关稳压器
高速切换
小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)
增强模式：Vth = 1.3 至 2.3 V（VDS = 10 V，ID = 0.3 mA）