Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚

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RS 库存编号:
171-2402
制造商零件编号:
SSM3K339R
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

390mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

12 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.1nC

最大功耗 Pd

2W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

1.8 mm

长度

2.9mm

高度

0.7mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
TH
电源管理开关

直流 - 直流转换器

1.8 V 栅极驱动电压。

低漏-源通态电阻

RDS(接通)= 145 mΩ(典型值)(@VGS = 8.0 V,ID = 1.0 A)

RDS(接通)= 155 mΩ(典型值)(@VGS = 4.5 V,ID = 1.0 A)

RDS(接通)= 160 mΩ(典型值)(@VGS = 3.6 V,ID = 1.0 A)

RDS(接通)= 180 mΩ(典型值)(@VGS = 2.5 V,ID = 0.5 A)

RDS(接通)= 220 mΩ(典型值)(@VGS = 1.8 V,ID = 0.2 A)