Toshiba , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=20 V, ESM, 表面安装, 3引脚, SSM3K37MFV,L3F(B
- RS 库存编号:
- 171-2404
- 制造商零件编号:
- SSM3K37MFV,L3F(B
- 制造商:
- Toshiba
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- RS 库存编号:
- 171-2404
- 制造商零件编号:
- SSM3K37MFV,L3F(B
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | ESM | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.2 mm | |
| 长度 | 0.8mm | |
| 高度 | 0.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 ESM | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.2 mm | ||
长度 0.8mm | ||
高度 0.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
1.5V 驱动
低接通电阻：Ron = 66mΩ（最大值）(@VGS = 1.5 V)
Ron = 43mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)
Ron = 32mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)
Ron = 28mΩ（最大值）(@VGS = 4.0V)