Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 250 mA, SOT-723, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 171-2404
- 制造商零件编号:
- SSM3K37MFV,L3F(B
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 8000 - 8000 | RMB0.338 | RMB2,704.00 |
| 16000 - 72000 | RMB0.328 | RMB2,624.00 |
| 80000 + | RMB0.296 | RMB2,368.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-2404
- 制造商零件编号:
- SSM3K37MFV,L3F(B
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 250 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-723 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 5.6 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.35V | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.2mm | |
| 长度 | 0.8mm | |
| 高度 | 0.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 250 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SOT-723 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 5.6 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 0.35V | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.2mm | ||
长度 0.8mm | ||
高度 0.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
1.5V 驱动
低接通电阻：Ron = 66mΩ（最大值）(@VGS = 1.5 V)
Ron = 43mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)
Ron = 32mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)
Ron = 28mΩ（最大值）(@VGS = 4.0V)
低接通电阻：Ron = 66mΩ（最大值）(@VGS = 1.5 V)
Ron = 43mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)
Ron = 32mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)
Ron = 28mΩ（最大值）(@VGS = 4.0V)