Toshiba N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=300 mA, 6针, US
- RS 库存编号:
- 171-2410
- 制造商零件编号:
- SSM6N7002KFU
- 制造商:
- Toshiba
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- 171-2410
- 制造商零件编号:
- SSM6N7002KFU
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.75Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -0.79V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 300mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.75Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -0.79V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.39nC | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
最低工作温度 150°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2mm | ||
高度 0.9mm | ||
宽度 1.25mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
高速切换
低漏-源通态电阻
RDS（接通）= 1.05 Ω（典型值）(@VGS = 10 V)
RDS（接通）= 1.15 Ω（典型值）(@VGS = 5.0 V)
RDS（接通）= 1.2 Ω（典型值）(@VGS = 4.5 V)
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