Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 171-2471P
- 制造商零件编号:
- SSM3K339R
- 制造商:
- Toshiba
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-2471P
- 制造商零件编号:
- SSM3K339R
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 390mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.8 mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.7mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 390mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.8 mm | ||
长度 2.9mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.7mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
电源管理开关
直流 - 直流转换器
1.8 V 栅极驱动电压。
低漏-源通态电阻
RDS（接通）= 145 mΩ（典型值）（@VGS = 8.0 V，ID = 1.0 A）
RDS（接通）= 155 mΩ（典型值）（@VGS = 4.5 V，ID = 1.0 A）
RDS（接通）= 160 mΩ（典型值）（@VGS = 3.6 V，ID = 1.0 A）
RDS（接通）= 180 mΩ（典型值）（@VGS = 2.5 V，ID = 0.5 A）
RDS（接通）= 220 mΩ（典型值）（@VGS = 1.8 V，ID = 0.2 A）