Toshiba P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, TJ8S06M3L

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RS 库存编号:
171-2492
制造商零件编号:
TJ8S06M3L
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

130mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

27W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19nC

最大栅源电压 Vgs

10 V

最高工作温度

175°C

长度

6.5mm

宽度

7 mm

标准/认证

No

高度

2.3mm

汽车标准

AEC-Q101

不适用

COO (Country of Origin):
JP
应用

汽车

电机驱动器

直流 - 直流转换器

开关稳压器

特点

低漏-源通态电阻:RDS(接通)= 80 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)

低泄漏电流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -60V)

增强模式:Vth = -2.0 至 -3.0 V(VDS = -10 V,ID = -1 mA)