Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 65 A, TO-252, 表面安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 171-2494P
- 制造商零件编号:
- TK65S04N1L
- 制造商:
- Toshiba
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- 制造商零件编号:
- TK65S04N1L
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 65A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 107W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 7 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 65A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 107W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 7 mm | ||
高度 2.3mm | ||
长度 6.5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- JP
应用
汽车
电机驱动器
开关稳压器
特点
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 3.3 mΩ（典型值）
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)
增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.3 mA）