Toshiba , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, SOT-563, 6引脚, SSM6N35FE
- RS 库存编号:
- 171-2510
- 制造商零件编号:
- SSM6N35FE
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 950 | RMB1.011 | RMB50.55 |
| 1000 - 1950 | RMB1.001 | RMB50.05 |
| 2000 + | RMB0.951 | RMB47.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-2510
- 制造商零件编号:
- SSM6N35FE
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SOT-563 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.55mm | |
| 宽度 | 1.6 mm | |
| 长度 | 1.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SOT-563 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 20Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.55mm | ||
宽度 1.6 mm | ||
长度 1.2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
1.2 V 驱动
N 沟道 2 合 1
低接通电阻：Ron = 20 Ω（最大值）(@VGS = 1.2 V)
Ron = 8 Ω（最大值）(@VGS = 1.5 V)
Ron = 4 Ω（最大值）(@VGS = 2.5 V)
Ron = 3 Ω（最大值）(@VGS = 4.0 V)