Toshiba P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 100 mA, SOT-723, 贴片安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
171-2532
制造商零件编号:
SSM3J15FV
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

通道类型

P

最大连续漏极电流

100 mA

最大漏源电压

30 V

封装类型

SOT-723

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

32 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.7V

最小栅阈值电压

1.1V

最大功率耗散

150 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

±20 V

宽度

1.2mm

最高工作温度

+150 °C

长度

0.8mm

每片芯片元件数目

1

高度

0.5mm

COO (Country of Origin):
JP
为在小封装中进行高密度安装而优化
低接通电阻：RDS（接通）= 12 Ω（最大值）(@VGS = −4 V)
RDS（接通）= 32 Ω（最大值）(@VGS = −2.5 V)