Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

RS 库存编号:: 171-3615
制造商零件编号:: TSM2308CX RFG
制造商:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

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制造商零件编号:: TSM2308CX RFG
制造商:: Taiwan Semiconductor

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Taiwan Semiconductor 60V ， 3A ， 3 引脚 N 通道 MOSFET 具有单晶体管配置和增强通道模式。它通常用于直流 - 直流电源系统
和负载开关应用。

先进的沟道工艺技术
高密度电池设计，提供超低接通电阻
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 1.25 W
栅极阈值电压范围介于 1.2V-2.5V 之间

Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

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