Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 171-3615
- 制造商零件编号:
- TSM2308CX RFG
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
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- RS 库存编号:
- 171-3615
- 制造商零件编号:
- TSM2308CX RFG
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 192 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 1.25 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.99 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 192 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 1.25 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3mm | ||
宽度 1.4mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.99 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.05mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
Taiwan Semiconductor 60V ， 3A ， 3 引脚 N 通道 MOSFET 具有单晶体管配置和增强通道模式。它通常用于直流 - 直流电源系统
和负载开关应用。
和负载开关应用。
先进的沟道工艺技术
高密度电池设计，提供超低接通电阻
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 1.25 W
栅极阈值电压范围介于 1.2V-2.5V 之间
高密度电池设计，提供超低接通电阻
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 1.25 W
栅极阈值电压范围介于 1.2V-2.5V 之间