Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 8 A, ITO-220, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 171-3637
- 制造商零件编号:
- TSM70N600CI C0G
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
不可供应
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- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 700 V | |
| 封装类型 | ITO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 32 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 长度 | 10mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.6 nC @ 10 V | |
| 正向二极管电压 | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 15mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 700 V | ||
封装类型 ITO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 600 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 32 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
长度 10mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 12.6 nC @ 10 V | ||
正向二极管电压 1.4V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 15mm | ||
Taiwan Semiconductor N 通道 MOSFET 是 3 引脚增强通道模式，栅极阈值电压为 4V。
超接合技术
小品质因数确保高性能
高坚固性性能
高换向性能
小品质因数确保高性能
高坚固性性能
高换向性能