Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 4 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 171-3649P
- 制造商零件编号:
- TSM4NB60CP ROG
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
小计 25 件 (按连续条带形式提供)*
¥315.00
(不含税)
¥356.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 + | RMB12.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-3649P
- 制造商零件编号:
- TSM4NB60CP ROG
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 正向二极管电压 | 1.13V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 2.28mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 50 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 14.5 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.1mm | ||
长度 6.5mm | ||
正向二极管电压 1.13V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 2.28mm | ||
Taiwan Semiconductor 600V ， 4A ， 2。5Ω Ω ， 3 引脚， N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强沟道模式。它通常用于电源和照明应用。
经过 100% 雪崩测试
无铅电镀
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 Wee 2002/96/EC
无卤素，符合 IEC 61249-2-21 定义
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
50W 最大功耗
栅极阈值电压范围介于 2.5V 至 4.5V 之间
无铅电镀
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 Wee 2002/96/EC
无卤素，符合 IEC 61249-2-21 定义
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
50W 最大功耗
栅极阈值电压范围介于 2.5V 至 4.5V 之间