Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 4.5 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
171-3661
制造商零件编号:
TSM70N900CP ROG
制造商:
Taiwan Semiconductor
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品牌

Taiwan Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

4.5 A

最大漏源电压

700 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

900 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

50 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

±30 V

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

长度

6.5mm

典型栅极电荷@Vgs

9.7 nC @ 10 V

宽度

5.8mm

正向二极管电压

1.4V

最低工作温度

-55 °C

高度

2.3mm

Taiwan Semiconductor 700V ， 4.5A ， 900 mΩ ， 3 引脚， N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强沟道模式。它通常用于电源和照明应用。

超接合技术
小品质因数确保高性能
高坚固性性能
高换向性能
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
50W 最大功耗
栅极阈值电压范围为 2V-4V

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。