Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 4.5 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 171-3661P
- 制造商零件编号:
- TSM70N900CP ROG
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
不可供应
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产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
Taiwan Semiconductor 700V , 4.5A , 900 mΩ , 3 引脚, N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强沟道模式。它通常用于电源和照明应用。
超接合技术
小品质因数确保高性能
高坚固性性能
高换向性能
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
50W 最大功耗
栅极阈值电压范围为 2V-4V
小品质因数确保高性能
高坚固性性能
高换向性能
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
50W 最大功耗
栅极阈值电压范围为 2V-4V
