Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 4.5 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚

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包装方式:
RS 库存编号:
171-3661P
制造商零件编号:
TSM70N900CP ROG
制造商:
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor 700V , 4.5A , 900 mΩ , 3 引脚, N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强沟道模式。它通常用于电源和照明应用。

超接合技术
小品质因数确保高性能
高坚固性性能
高换向性能
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
50W 最大功耗
栅极阈值电压范围为 2V-4V

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