Name: Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 7 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 171-3673
Price: 78.69 CNY
Availability: Discontinued

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Taiwan Semiconductor
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	7 A
	最大漏源电压	900 V
	封装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	1.9 Ω
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	4V
	最小栅阈值电压	2V
	最大功率耗散	250 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	±30 V
	宽度	4.19mm
	典型栅极电荷@Vgs	49 nC @ 10 V
	最高工作温度	+150 °C
	长度	10mm
	每片芯片元件数目	1
	最低工作温度	-55 °C
	高度	14.25mm
	正向二极管电压	1.4V

	选择全部
	品牌 Taiwan Semiconductor
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 7 A
	最大漏源电压 900 V
	封装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 1.9 Ω
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 4V
	最小栅阈值电压 2V
	最大功率耗散 250 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 ±30 V
	宽度 4.19mm
	典型栅极电荷@Vgs 49 nC @ 10 V
	最高工作温度 +150 °C
	长度 10mm
	每片芯片元件数目 1
	最低工作温度 -55 °C
	高度 14.25mm
	正向二极管电压 1.4V

Taiwan Semiconductor 900V ， 7A ， 1。9Ω Ω ， 3 引脚， N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强沟道模式。它通常用于电源和照明应用。

低 RDS (接通) 1.9Ω (最大)
低栅极电荷典型值 @49nC (典型值)
提高 dV/dt 能力
无铅电镀
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 Wee 2002/96/EC
无卤素，符合 IEC 61249-2-21 定义
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 250W
栅极阈值电压范围为 2V-4V

Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 7 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。