Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 171-3697P
- 制造商零件编号:
- TSM2308CX RFG
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
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产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
Taiwan Semiconductor 60V , 3A , 3 引脚 N 通道 MOSFET 具有单晶体管配置和增强通道模式。它通常用于直流 - 直流电源系统
和负载开关应用。
和负载开关应用。
先进的沟道工艺技术
高密度电池设计,提供超低接通电阻
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 1.25 W
栅极阈值电压范围介于 1.2V-2.5V 之间
高密度电池设计,提供超低接通电阻
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 1.25 W
栅极阈值电压范围介于 1.2V-2.5V 之间
