Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
171-3697P
制造商零件编号:
TSM2308CX RFG
制造商:
Taiwan Semiconductor
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品牌

Taiwan Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

3 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

SOT-23

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

192 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最小栅阈值电压

1.2V

最大功率耗散

1.25 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

±20 V

长度

3mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

宽度

1.4mm

典型栅极电荷@Vgs

3.99 nC @ 4.5 V

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.2V

高度

1.05mm

Taiwan Semiconductor 60V ， 3A ， 3 引脚 N 通道 MOSFET 具有单晶体管配置和增强通道模式。它通常用于直流 - 直流电源系统
和负载开关应用。

先进的沟道工艺技术
高密度电池设计，提供超低接通电阻
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 1.25 W
栅极阈值电压范围介于 1.2V-2.5V 之间

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。