Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=50 A, 4针, TO-252

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包装方式：
RS 库存编号:
171-3703
制造商零件编号:
TSM230N06CP ROG
制造商:
Taiwan Semiconductor
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品牌

Taiwan Semiconductor

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

28mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

53W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

28nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

6.5mm

宽度

5.8mm

高度

2.3mm

汽车标准

IEC 61249

Taiwan Semiconductor 60V ， 50A ， 28mΩ Ω ， 3 引脚 N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强型沟道模式。

通过 100% 雪崩测试

快速切换

符合 RoHS

工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C

53W 最大功耗

栅极阈值电压范围介于 1.2V-2.5V 之间

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