Taiwan Semiconductor N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 171-3703P
- 制造商零件编号:
- TSM230N06CP ROG
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
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- 制造商零件编号:
- TSM230N06CP ROG
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 28mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大功耗 Pd | 53W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.8 mm | |
| 汽车标准 | IEC 61249 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 28mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最大功耗 Pd 53W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.5mm | ||
高度 2.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.8 mm | ||
汽车标准 IEC 61249 | ||
Taiwan Semiconductor 60V ， 50A ， 28mΩ Ω ， 3 引脚 N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强型沟道模式。
通过 100% 雪崩测试
快速切换
符合 RoHS
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
53W 最大功耗
栅极阈值电压范围介于 1.2V-2.5V 之间