onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 29 A, WDFN, 贴片安装, 8引脚, NTTFS4C02N系列
- RS 库存编号:
- 171-8393P
- 制造商零件编号:
- NTTFS4C02NTAG
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- RS 库存编号:
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- 制造商零件编号:
- NTTFS4C02NTAG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 29 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | WDFN | |
| 系列 | NTTFS4C02N | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 3.1 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大功率耗散 | 4.2 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 3.15mm | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 29 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 WDFN | ||
系列 NTTFS4C02N | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 3.1 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1.3V | ||
最大功率耗散 4.2 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V | ||
宽度 3.15mm | ||
长度 3.15mm | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
高度 0.75mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
功率 MOSFET 30 V 170 A 2.25 mΩ 单相 N 通道 μ8FL
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低电容可最大限度地减少驱动器损耗
经过优化的栅极电荷，可最大限度地减少切换损耗
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
直流-直流转换器
电源负载开关
笔记本电脑电池管理
低电容可最大限度地减少驱动器损耗
经过优化的栅极电荷，可最大限度地减少切换损耗
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
直流-直流转换器
电源负载开关
笔记本电脑电池管理