onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=110 A, 3针, TO-252, NTD5C446N系列
- RS 库存编号:
- 171-8455P
- 制造商零件编号:
- NTD5C446NT4G
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 171-8455P
- 制造商零件编号:
- NTD5C446NT4G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | NTD5C446N | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 66W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 NTD5C446N | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 66W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
40 V，3.2 m，110 A，单 N 通道 DPAK
低接通电阻
最低传导损耗
高电流容量
可靠负载性能
通过 100% 雪崩能量测试
电压过应力保护
交流-直流电源转换
直流-直流电源转换
电动机驱动器
电动工具
电源