ROHM N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=100 V, Id=2 A, 8针, TSMT, QH8K51系列
- RS 库存编号:
- 172-0345
- 制造商零件编号:
- QH8K51TR
- 制造商:
- ROHM
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 172-0345
- 制造商零件编号:
- QH8K51TR
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TSMT | |
| 系列 | QH8K51 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 355mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TSMT | ||
系列 QH8K51 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 355mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.7nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.5mm | ||
长度 3.1mm | ||
高度 0.8mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
QH8K51 是低接通电阻 MOSFET，适用于开关应用。
低接通电阻。
小型表面安装封装 (TSMT8)。
相关链接
- ROHM , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, TSMT-8, 表面安装, 8引脚, QH8系列, QH8KE5TCR
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 8 A, TSMT-8, 表面安装, 8引脚, QH8KB6TCR, QH8KB6系列
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3 A, TSMT-8, 表面安装, 8引脚, QH8KC5TCR, QH8KC5系列
- ROHM N型, P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7 A, TSMT, 表面安装, 8引脚, QH8MA3TCR, QH8MA3系列
- ROHM P型, N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 5 A, TSMT-8, 表面安装, 8引脚, QH8MB5TCR, QH8MB5系列
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 5.5 A, TSMT-8, 表面安装, 8引脚, QH8KC6TCR, QH8KC6系列
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 4.5 A, TSMT-8, 表面安装, 8引脚, QH8KB5TCR, QH8KB5系列
- ROHM N型, P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3.5 A, TSMT-8, 表面安装, 8引脚, QH8MC5TCR, QH8MC5系列