ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3G500GN系列
- RS 库存编号:
- 172-0384
- 制造商零件编号:
- RD3G500GNTL
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥14,882.50
(不含税)
¥16,817.50
(含税)
正在逐步停售
- 最终 5,000 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB5.953 | RMB14,882.50 |
| 5000 - 7500 | RMB5.834 | RMB14,585.00 |
| 10000 + | RMB5.717 | RMB14,292.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 172-0384
- 制造商零件编号:
- RD3G500GNTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | RD3G500GN | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最大功耗 Pd | 35W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.8mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 标准/认证 | JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302 | |
| 宽度 | 6.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 RD3G500GN | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
最大功耗 Pd 35W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.8mm | ||
高度 2.3mm | ||
标准/认证 JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302 | ||
宽度 6.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
RD3G500GN 是低接通电阻 MOSFET，适用于开关应用。
低接通电阻
高功率封装 (TO-252)
无铅引线电镀
无卤素