ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 13 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, RD3P130SP系列

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172-0398
制造商零件编号:
RD3P130SPTL1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

通道类型

P

最大连续漏极电流

13 A

最大漏源电压

100 V

系列

RD3P130SP

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

230 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

20 W

晶体管配置

最大栅源电压

±20 V

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

40 nC @ 10 V

长度

6.8mm

宽度

6.4mm

每片芯片元件数目

1

高度

2.3mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.2V

RD3P130SP 是具有低接通电阻的功率 MOSFET,适用于开关应用。

低接通电阻。
快速切换速度。
驱动电路可以很简单。
易于并行使用。
无铅电镀

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。