ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=24 A, 3针, TO-263, R6024ENJ系列

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RS 库存编号:
172-0479
制造商零件编号:
R6024ENJTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

24A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-263

系列

R6024ENJ

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

320mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

最大功耗 Pd

245W

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

9.2mm

高度

4.7mm

长度

10.4mm

汽车标准

否

功率 MOSFET 是采用微处理技术的低接通电阻设备，适用于广泛的应用。广泛的产品系列包含紧凑型、高功率型和复合型，可满足市场中的各种需求。

低接通电阻。

快速切换速度。

栅-源电压 (VGSS) 保证达到 ±20 V。

驱动电路可以很简单。

易于并行使用。

无铅引线电镀

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