onsemi N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=84 A, 8针, DFN, NVMFD5C462NL系列

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RS 库存编号:
172-3316
制造商零件编号:
NVMFD5C462NLWFT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

84A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

NVMFD5C462NL

包装类型

DFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

7.7mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最大功耗 Pd

50W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.86V

最大栅源电压 Vgs

20V

晶体管配置

双

最高工作温度

175°C

高度

1.05mm

标准/认证

No

宽度

5.1mm

长度

6.1mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。支持 MOSFET 和 PPAP，适用于汽车应用。

体积小巧 (5 x 6 mm)

紧凑设计

低 RDS（接通）

最大限度地减少传导损耗

低 QG 和电容

最大限度地减少驱动器损耗

NVMFD5C446NLWF − 可润侧翼选件

增强型光学检验

支持 PPAP

应用

电磁阀驱动器

低侧/高侧驱动器

汽车发动机控制器

防抱死制动系统

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