onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 51 A, DFN, 表面安装, 6引脚, NVMFS4C310NT1G, NVMFS4C310N系列
- RS 库存编号:
- 172-3343
- 制造商零件编号:
- NVMFS4C310NT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 350 | RMB6.427 | RMB321.35 |
| 400 - 700 | RMB6.234 | RMB311.70 |
| 750 + | RMB6.047 | RMB302.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 172-3343
- 制造商零件编号:
- NVMFS4C310NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 51A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | NVMFS4C310N | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 32W | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 5.1 mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 51A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 NVMFS4C310N | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 32W | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.7nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 5.1 mm | ||
高度 1.05mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低电容可最大限度地减少驱动器损耗
经过优化的栅极电荷，可最大限度地减少切换损耗
NVMFS4C310NWF − 可润侧翼选件，用于增强型光学检验
这些设备无铅