onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 59 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, NVD5C464N系列
- RS 库存编号:
- 172-3367P
- 制造商零件编号:
- NVD5C464NT4G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- 制造商零件编号:
- NVD5C464NT4G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 59 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 系列 | NVD5C464N | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 5.8 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 2.25mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 59 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
系列 NVD5C464N | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 5.8 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 40 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 2.25mm | ||
SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和更高的效率。
TJ = 150 oC 时为 700 V
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷（典型 Qg = 259 nC）
低切换损耗
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 1972 pF）
低切换损耗
极佳的主体二极管性能（低 Qrr、坚固的主体二极管）
在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
典型 RDS（接通）= 23 mΩ
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷（典型 Qg = 259 nC）
低切换损耗
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 1972 pF）
低切换损耗
极佳的主体二极管性能（低 Qrr、坚固的主体二极管）
在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
典型 RDS（接通）= 23 mΩ