onsemi , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 145 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NVMFD5C446NL系列, NVMFD5C446NLT1G

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制造商零件编号:
NVMFD5C446NLT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

145A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

DFN

系列

NVMFD5C446NL

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.9mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

38nC

正向电压 Vf

0.8V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

125W

晶体管配置

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

5.1 mm

高度

1.05mm

长度

6.1mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

汽车功率 MOSFET 采用 DPAK 封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。支持 MOSFET 和 PPAP,适用于汽车应用。

低接通电阻

最低传导损耗

高电流容量

可靠负载性能

电压过应力保护

应用

低侧驱动器

高侧驱动器

电动机驱动器

汽车传动系统

汽车 HVAC 电动机

ABS 压力泵