onsemi N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=145 A, 8针, DFN, NVMFD5C446NL系列
- RS 库存编号:
- 172-3377P
- 制造商零件编号:
- NVMFD5C446NLT1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 172-3377P
- 制造商零件编号:
- NVMFD5C446NLT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 145A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | NVMFD5C446NL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38nC | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 145A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 NVMFD5C446NL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.05mm | ||
宽度 5.1mm | ||
长度 6.1mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
汽车功率 MOSFET 采用 DPAK 封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。支持 MOSFET 和 PPAP，适用于汽车应用。
低接通电阻
最低传导损耗
高电流容量
可靠负载性能
电压过应力保护
应用
低侧驱动器
高侧驱动器
电动机驱动器
汽车传动系统
汽车 HVAC 电动机
ABS 压力泵