onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 44 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 172-3424
- 制造商零件编号:
- FCP067N65S3
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 管，共 800 件）*
¥23,677.60
(不含税)
¥26,756.00
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | RMB29.597 | RMB23,677.60 |
| 1600 - 7200 | RMB29.005 | RMB23,204.00 |
| 8000 + | RMB28.425 | RMB22,740.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 172-3424
- 制造商零件编号:
- FCP067N65S3
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 44 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 67 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 312 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 78 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 高度 | 16.3mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 44 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 67 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 312 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
长度 10.67mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4.7mm | ||
高度 16.3mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和更高的效率。
TJ = 150 oC 时为 700 V
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷（典型 Qg = 30 nC）
低切换损耗
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 277 pF）
低切换损耗
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
内部栅极电阻：7.0 Ω
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
典型 RDS（接通）= 170 mΩ
波焊保证
计算
消费品
工业
电信/服务器
太阳能逆变器 / UPS
EVC
自动化
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷（典型 Qg = 30 nC）
低切换损耗
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 277 pF）
低切换损耗
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
内部栅极电阻：7.0 Ω
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
典型 RDS（接通）= 170 mΩ
波焊保证
计算
消费品
工业
电信/服务器
太阳能逆变器 / UPS
EVC
自动化