onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 44 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, FCH067N65S3系列

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包装方式:
RS 库存编号:
172-4624P
制造商零件编号:
FCH067N65S3-F155
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

44A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-247

系列

FCH067N65S3

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

67mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

312W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

78nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

宽度

4.82 mm

标准/认证

No

长度

15.87mm

高度

20.82mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗,提供卓越的切换性能,并能承受极端的 dv/dt 速率。因此,SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统,以实现小型化和更高的效率。

TJ = 150 oC 时为 700 V

低温运行时系统可靠性更高

超低栅极电荷(典型 Qg = 78 nC)

低切换损耗

低有效输出电容(典型 Coss(eff.) = 715 pF)

低切换损耗

优化的电容

更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡

典型 RDS(接通)= 62 mΩ

波焊保证

计算

电信

工业

电信/服务器

太阳能逆变器 / UPS

EVC