onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 44 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, FCP067N65S3, FCP系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

¥159.12

(不含税)

¥179.805

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 2,210 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
5 - 195RMB31.824RMB159.12
200 - 395RMB31.158RMB155.79
400 +RMB30.224RMB151.12

* 参考价格

RS 库存编号:
172-4628
制造商零件编号:
FCP067N65S3
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

44A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-220

系列

FCP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

67mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

78nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

312W

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

10.67mm

高度

16.3mm

宽度

4.7 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗,提供卓越的切换性能,并能承受极端的 dv/dt 速率。因此,SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统,以实现小型化和更高的效率。

TJ = 150 oC 时为 700 V

低温运行时系统可靠性更高

超低栅极电荷(典型 Qg = 30 nC)

低切换损耗

低有效输出电容(典型 Coss(eff.) = 277 pF)

低切换损耗

优化的电容

更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡

内部栅极电阻:7.0 Ω

更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡

典型 RDS(接通)= 170 mΩ

波焊保证

计算

消费品

工业

电信/服务器

太阳能逆变器 / UPS

EVC

自动化