onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=17 A, 3针, TO-220, SuperFET II系列
- RS 库存编号:
- 172-4632P
- 制造商零件编号:
- FCP190N65S3
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 172-4632P
- 制造商零件编号:
- FCP190N65S3
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | SuperFET II | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 144W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 16.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 17A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 SuperFET II | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 144W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 16.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.7mm | ||
长度 10.67mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和更高的效率。
TJ = 150 oC 时为 700 V
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷（典型 Qg = 30 nC）
低切换损耗
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 277 pF）
低切换损耗
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
内部栅极电阻：7.0 Ω
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
典型 RDS（接通）= 170 mΩ