onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 203 A, DFN, 表面安装, 5引脚, NTMFS6H800N系列
- RS 库存编号:
- 172-8974P
- 制造商零件编号:
- NTMFS6H800NT1G
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商零件编号:
- NTMFS6H800NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 203A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | NTMFS6H800N | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 85nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 5.1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 203A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 NTMFS6H800N | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.1mm | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 5.1 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor
ON Semiconductor DFN5 表面安装 N 通道 MOSFET 是一款新型产品、具有 80V 的漏电源电压和 20V 的最大栅源电压。它在 10V 的栅源电压下具有 2.1mohm 的漏极电阻。它具有 203A 的连续漏电流和 200W 的最大功耗。 此晶体管的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V 。MOSFET 经过优化、可降低开关和传导损耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 紧凑型设计
•无铅 (Pb)
•低 QG 和电容
•低 QG 和电容可最大限度地减少驱动器损耗
•低 RDS （接通）以最大限度地减少传导损耗
•尽量减少传导损耗
•尽量减少驾驶员损失
•工作温度范围在 -55°C 和 175°C 之间
•占地面积小（ 5x6 毫米）
应用
• 48V 系统
• DC/DC 转换器
•负载开关
• 电动机控制
•电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、 H 型桥等）
•切换电源
•同步整流器
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007