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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	40 A
	最大漏源电压	650 V
	封装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	82 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	5V
	最小栅阈值电压	3V
	最大功率耗散	313 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	±30 V
	典型栅极电荷@Vgs	81 nC @ 10 V
	最高工作温度	+150 °C
	长度	15.87mm
	每片芯片元件数目	1
	宽度	4.82mm
	最低工作温度	-55 °C
	正向二极管电压	1.3V
	高度	20.82mm

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 40 A
	最大漏源电压 650 V
	封装类型 TO-247
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 82 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 5V
	最小栅阈值电压 3V
	最大功率耗散 313 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 ±30 V
	典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V
	最高工作温度 +150 °C
	长度 15.87mm
	每片芯片元件数目 1
	宽度 4.82mm
	最低工作温度 -55 °C
	正向二极管电压 1.3V
	高度 20.82mm

SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和更高的效率。SuperFET III FRFET® MOSFET 中主体二极管的反向恢复性能经过优化设计，无需额外器件，并能提高系统可靠性。

TJ = 150 °C 时为 700 V
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷（典型 Qg = 81 nC）
低切换损耗
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 722 pF）
低切换损耗
极佳的主体二极管性能（低 Qrr、坚固的主体二极管）
在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
典型 RDS（接通）= 70 mΩ
应用
电信
云系统
工业
电信电源
服务器电源
EV 充电器
太阳能/UPS

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 40 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。