onsemi N型沟道 N型 MOSFET, 4 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, NCP81075DR2G, NCP81075系列
- RS 库存编号:
- 172-9004
- 制造商零件编号:
- NCP81075DR2G
- 制造商:
- onsemi
供应短缺
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- 制造商零件编号:
- NCP81075DR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 系列 | NCP81075 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 0.4 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 170°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
系列 NCP81075 | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 0.4 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 170°C | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
NCP81075 是高性能双 MOSFET（高侧和低侧）栅极驱动器 IC，专为工作电压高达 180 V 的高压、高速驱动 MOSFET 而设计。NCP81075 集成了驱动器 IC 和限幅二极管，提供高达 4 A 的驱动能力。高侧和低侧驱动器可单独控制，具有相匹配的 3.5 ns 典型传播延时。此驱动器非常适合用于高电压降压应用、隔离电源、2 个开关和有源钳位前馈转换器。该设备还可用于太阳能优化器和太阳能逆变器应用。该部件采用 SO8、8 引脚 DFN 和 10 引脚 DFN 封装，并可在 -40 ℃ 至 140 ℃ 的温度范围内工作
驱动高侧和低侧的两个 N 通道 MOSFET
集成限幅二极管，用于高侧栅极驱动
引导程序电源电压范围高达 180 V
4 A 源电流、4 A 汇电流输出容量
以 8 ns/7 ns 的典型上升/下降时间驱动 1 nF 负载
宽电源电压范围（8.5 V 至 20 V）
快速传播延迟时间（典型值 20 ns）
2 ns 延时匹配（典型值）
用于驱动电压的欠电压锁定 (UVLO) 保护
工作接点温度范围：-40°C 至 140°C
应用
降压转换器
隔离电源
D 类音频放大器
两个开关和有源钳位正向转换器
太阳能优化器