Semelab 单 N型沟道 增强型 金属栅极射频硅场效应晶体管, Vds=65 V, 2 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TetraFET系列
- RS 库存编号:
- 177-5491
- 制造商零件编号:
- D2020UK
- 制造商:
- Semelab
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- D2020UK
- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 工作频率 | 1 GHz | |
| 产品类型 | 金属栅极射频硅场效应晶体管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 65V | |
| 输出功率 | 5W | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | TetraFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | 65°C | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 高度 | 2.18mm | |
| 长度 | 4.06mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 5.08 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 典型功率增益 | 13dB | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
槽架类型 N型 | ||
工作频率 1 GHz | ||
产品类型 金属栅极射频硅场效应晶体管 | ||
最大连续漏极电流 Id 2A | ||
最大漏源电压 Vd 65V | ||
输出功率 5W | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 TetraFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 65°C | ||
最高工作温度 200°C | ||
晶体管配置 单 | ||
高度 2.18mm | ||
长度 4.06mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 5.08 mm | ||
汽车标准 否 | ||
典型功率增益 13dB | ||
- COO (Country of Origin):
- GB