Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=65 V, 2 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, TetraFET系列
- RS 库存编号:
- 177-5491
- 制造商零件编号:
- D2020UK
- 制造商:
- Semelab
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- D2020UK
- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 65 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 系列 | TetraFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大功率耗散 | 30 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 5.08mm | |
| 长度 | 4.06mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 2.18mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 65 V | ||
封装类型 SOIC | ||
系列 TetraFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大功率耗散 30 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 5.08mm | ||
长度 4.06mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +200 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 2.18mm | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
RF MOSFET 晶体管，Semelab
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Semelab