ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 20 A, TO-220FM, 通孔安装, 3引脚, R6520ENX, R6520ENX系列
- RS 库存编号:
- 177-6115
- 制造商零件编号:
- R6520ENX
- 制造商:
- ROHM
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- 177-6115
- 制造商零件编号:
- R6520ENX
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220FM | |
| 系列 | R6520ENX | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 200mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 61nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.8 mm | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 高度 | 15.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220FM | ||
系列 R6520ENX | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 200mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.8 mm | ||
长度 10.3mm | ||
高度 15.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- JP
R6520ENX is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating