ROHM , 2 P型, N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 9 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8MA4系列, SH8MA4TB1
- RS 库存编号:
- 177-6205
- 制造商零件编号:
- SH8MA4TB1
- 制造商:
- ROHM
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RMB8,650.00
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RMB9,775.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB3.46 | RMB8,650.00 |
| 5000 - 7500 | RMB3.356 | RMB8,390.00 |
| 10000 + | RMB3.289 | RMB8,222.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 177-6205
- 制造商零件编号:
- SH8MA4TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | SH8MA4 | |
| 包装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 21.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 3W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.05mm | |
| 长度 | 5.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 SH8MA4 | ||
包装类型 SOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 21.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15.5nC | ||
最大功耗 Pd 3W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
高度 1.6mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.05mm | ||
长度 5.2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- TH
SH8MA4TB1 是具有低接通电阻和小型表面安装封装的 MOSFET。适用于开关应用。
低接通电阻。
小型表面安装封装 (SOP8)。
无铅引线电镀
无卤。