Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=250 V, 2.7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚

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RS 库存编号:
177-7562
制造商零件编号:
IRFR9214TRPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

P

最大连续漏极电流

2.7 A

最大漏源电压

250 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

3 Ω

通道模式

增强

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

50 W

晶体管配置

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

14 nC @ 10 V

长度

6.73mm

每片芯片元件数目

1

宽度

6.22mm

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

高度

2.38mm

P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor


Vishay 第三代功率 MOSFET 利用 Advanced 处理技术实现每个硅区域的低接通电阻。此优势结合 MOSFET 电源闻名适用的快速切换速度和耐震设备设计,为设计人员提供极其高效和可靠的设备,适用于各种应用。

Advanced 工艺技术
快速切换
完全耐雪崩等级

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MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor