Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=7.7 A, 3针, TO-252, IRLR系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 2000 件）*

RMB8,588.00

(不含税)

RMB9,704.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2,000 件在 2027年2月02日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
2000 - 8000RMB4.294RMB8,588.00
10000 +RMB3.864RMB7,728.00

* 参考价格

RS 库存编号:
177-7566
制造商零件编号:
IRLR014TRPBF
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

7.7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

系列

IRLR

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

280mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

10V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.4nC

正向电压 Vf

1.6V

最大功耗 Pd

25W

最高工作温度

150°C

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

标准/认证

No

高度

2.38mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


相关链接