Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=200 V, 960 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, IRFL210系列

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177-7608
制造商零件编号:
IRFL210TRPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

960mA

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

SOT-223

系列

IRFL210

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

1.5Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.2nC

最大功耗 Pd

3.1W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

长度

6.7mm

高度

1.8mm

标准/认证

RoHS

宽度

3.7mm

汽车标准

Vishay IRFL210系列功率MOSFET,200 V最大漏源电压,960 mA最大连续漏电流 - IRFL210TRPBF


此功率 MOSFET 是表面贴装 N 通道增强装置,设计用于电子控制和功率转换电路中的开关和放大。它具有高电压能力和门驱动范围,适用于低电压控制,适用于需要紧凑型 SOT-223 封装和中等连续排放性能的应用。

特性和优点:


• 200V Vds,可实现高电压切换能力
• 1.5Ω Rds 提供可预测的导通电阻,用于负载控制
• 960 mA 连续漏电流,支持中等负载
• 8.2nC 典型栅极电荷,可实现低驱动能量要求
• 20V 最大栅极-源电压,允许标准栅极驱动边缘
• 3. 1W 功耗,用于受限组件的热规划

应用


• 适用于中压电源和转换器
• 非常适合小型自动化系统中的电机驱动控制
• 用于仪器仪表中的开关模式调节
• 可用于控制面板中的负载切换

我可以预期的工作温度范围是多少,确保可靠性?


该设备可在 -55°C 至 150°C 的最高接点温度范围内工作,从而为热设计和降额提供信息,确保持续使用。

如何考虑与包装相关的热限制?


最大功耗为 3.1W

热管理必须考虑PCB铜面积和环境条件,以避免超过此限制。

必须遵守哪些栅极驱动限制?


栅极电压不得超过 20 V,以防止栅极氧化应力,典型栅极电荷为 8.2 nC,可确定切换速度所需的驱动电流。

组装时有哪些机械尺寸?


该组件采用 SOT-223 封装,引脚数为 4,影响焊盘布局和回流轮廓。

连续电流能力是否受限?


连续漏电流指定为 960 mA,因此设计应包括浪涌和瞬态条件的余量。