Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=200 V, Id=960 mA, 4针, SOT-223, IRFL210系列
- RS 库存编号:
- 177-7608
- 制造商零件编号:
- IRFL210TRPBF
- 制造商:
- Vishay
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- IRFL210TRPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 960mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | IRFL210 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 3.1W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 960mA | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 IRFL210 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 3.1W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.2nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 2V | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.8mm | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRFL210 系列功率 MOSFET,最大漏源电压 200V,最大功耗 3.1W - IRFL210TRPBF
这款功率MOSFET是一款高压N沟道晶体管,专为要求严苛的电子系统的表面贴装功率开关操作而设计。该器件可在广泛的环境条件下运行,适用于需要控制漏极电流及栅极驱动开关的应用,并采用支持PCB焊接组装的封装形式
特性和优点:
• 200V漏极额定值,适用于高压开关应用
• 1.5Ω导通电阻,可降低低电流电路中的导通损耗
• 8.2nC典型栅极电荷,支持中等开关速度
• 960mA持续漏极电流能力,确保持续电流输出
• ±20V栅极容差提供稳健的栅极驱动裕量
• RoHS合规性,确保制造过程严格遵守受限物质规定
• 1.5Ω导通电阻,可降低低电流电路中的导通损耗
• 8.2nC典型栅极电荷,支持中等开关速度
• 960mA持续漏极电流能力,确保持续电流输出
• ±20V栅极容差提供稳健的栅极驱动裕量
• RoHS合规性,确保制造过程严格遵守受限物质规定
应用
• 适用于电源次级侧开关操作
• 适用于电机控制信号级开关操作
• 配合小型照明驱动器和LED调光器使用
• 可用于工业控制接口电路
• 适用于电池管理低功耗开关应用
• 适用于电机控制信号级开关操作
• 配合小型照明驱动器和LED调光器使用
• 可用于工业控制接口电路
• 适用于电池管理低功耗开关应用
该器件在工作时能承受的温度范围是多少?
其规定工作温度范围为-55°C至150°C,可在工业温度环境中使用。
PCB组装应采用哪种封装形式?
该元件采用SOT-223表面贴装封装,适用于标准焊料回流焊工艺。
安装状态下可耗散多少功率?
最大功耗额定值为3.1W,该参数是进行热管理和散热方案选型时的重要依据。
该元件有多少个引脚?其安装方式是什么?
它有四个引脚,设计支持以表面贴装方式安装至印刷电路板。
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